‘10억분의 1m’를 줄여라.

반도체 업계의 나노미터(㎚, 10억분의 1m) 경쟁이 뜨겁다. 주요 업체들이 잇달아 20나노급 공정 낸드플래시 메모리반도체를 개발하면서 30나노대 공정에 이어 연내 20나노대 공정 낸드플래시 양산시대가 열릴 전망이다.

하이닉스반도체는 9일 26나노 공정을 적용한 64기가비트(Gb) 낸드플래시 반도체 개발에 성공했다고 밝혔다. 지난해 8월 32Gb 낸드플래시 개발 이후 6개월 만에 한 단계 업그레이드된 제품 개발에 성공했다. 인텔과 마이크론의 합작사인 IM플래시테크놀로지가 이달 초 25나노 제품 개발을 발표한 데 이어 세계 두 번째다.

하이닉스는 이 제품을 3분기부터 양산하고 낸드플래시 전용 공장인 청주공장에 현금 7000억원 등 총 1조원을 투자, 생산능력을 2배로 늘려 지난해 4분기 기준 10.1% 수준인 시장점유율을 끌어올릴 계획이다.

나노공정의 숫자가 작아질수록 반도체 칩 크기가 작아져 한 반도체 원판(웨이퍼)에서 생산할 수 있는 칩 개수가 늘어난다. 따라서 생산성은 높아지고 제조단가는 낮아져 자연스럽게 가격 경쟁력을 갖출 수 있다.

하이닉스는 인텔과 ST마이크로의 합작사인 뉴모닉스와 분업을 통해 나노공정 미세화 시점을 빠르게 줄이고 있다. 연구소장인 박성욱 부사장은 “통신기술에 사용되는 ‘노이즈 제거’ 기술을 적용하면 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다”고 말했다.

낸드플래시 선두인 삼성전자와 2위 일본 도시바의 발걸음도 빨라질 것으로 예상된다. 양사는 현재 32나노 공정 기술을 쓰고 있다. 업계 관계자는 “양사 모두 올해 중반 20나노대 공정 양산에 착수할 가능성이 크다”고 전망했다.

김도훈 기자 kinchy@kmib.co.kr

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