기존 실리콘 반도체의 한계를 극복할 수 있는 차세대 초고속, 저전력 트랜지스터 제조 기술이 한국과 미국 연구진에 의해 개발됐다.

울산과학기술대(UNIST) 나노생명화학공학부 고현협 교수는 미국 UC 버클리대 알리 자베이 교수팀과 공동 연구를 통해 실리콘 기판 위에 초박막 화합물 반도체를 접합시켜 새로운 구조의 고성능 ‘나노 트랜지스터’를 만드는 기술을 개발하는 데 성공했다고 10일 밝혔다. 관련 논문은 세계 최고 권위의 과학저널 네이처 11일자에 게재됐다.

고 교수는 “나노 트랜지스터는 지금까지 개발된 실리콘 트랜지스터보다 전자 이동도가 3∼5배가량 높으며 대기 상태에서는 전력을 차단하고 통전 시에는 높은 전류 밀도를 실현한다”면서 “상용화될 경우 전자 기기의 크기와 전력 소모를 획기적으로 줄일 수 있어 가볍고 얇으면서도 장시간 사용할 수 있는 초소형·초경량 노트북과 스마트폰 등을 만들 수 있게 된다”고 말했다.

현재 생산되는 반도체의 90%를 차지하는 실리콘 반도체는 생산 비용은 낮으나 고속 동작이 어렵고 전력 소비량과 발열량이 많을 뿐 아니라 소형화하는 데 한계가 있다.

민태원 기자

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