SK하이닉스가 현존 최고 사양 D램인 HBM3를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. 이번에 공개한 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다. SK하이닉스는 지난해 7월 3세대 제품인 HBM2E D램 양산을 시작한지 1년3개월 만에 4세대 제품을 개발했다.

속도면에서 HBM3는 초당 819DPA 데이터를 처리할 수 있다. 1편에 5DPA 수준인 FHD 영화 163편을 1초 만에 처리할 수 있는 셈이다. 이전 세대 제품인 HBM2E와 비교하면 약 78%, DDR4보다 33배, DDR5보다 16배 빠르다. 내장된 오류정정코드로 D램 셀에 전달된 데이터 오류를 스스로 보정할 수 있어 신뢰도도 높였다.

이번 제품은 업계 최대 용량인 24DPA와 16DPA 두 종류로 출시 예정이다. 24DPA를 구현하기 위해 SK하이닉스는 단품 D램 칩을 A4 1장 두께의 3분의 1 수준인 약 30마이크로미터 높이로 갈아낸 뒤, 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다. TSV는 D램 칩에 수천개의 미세한 구멍을 뚫어 위아래 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다.

HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며 인공지능(AI)의 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 예정이다.

양한주 기자

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