차세대 메모리 CB램 성능향상 기술 개발 기사의 사진
포스텍 연구팀이 차세대 메모리 CB램의 성능향상 기술 개발에 성공했다. 포스텍은 기계공학과·화학공학과 노준석(사진) 교수와 황현상 교수팀이 질소를 도핑한 GST(게르마늄, 안티모니, 텔루륨이 결합된 화합물질)를 이용, 저항률이 100배 증가해 성능이 크게 향상된 CB램 소자를 개발했다고 7일 밝혔다.

이 연구는 재료 분야 국제 학술지인 어드밴스드 일렉트로닉스 머터리얼스(Advanced Electronics Materials)지 표지논문으로 선정됐다. CB램은 플래시 램에 비해 적은 전력으로 읽기·쓰기가 가능하고 장치의 신뢰도 및 논리 회로 뒷면의 결합이 쉽다는 장점이 있다.

연구팀은 금속-절연체-금속의 구조를 가진 CB램에서 절연체로 사용되는 GST 필름에 질소를 도핑하는 방법으로 저항성을 높여 정보 처리 양을 늘리고, 고온(섭씨 85도)에서도 안정적인 성능을 보이는 것을 검증했다. 노 교수는 “기존 GST 필름에 질소를 도핑하는 간단한 방법을 통해 CB램 소자를 개발했다”면서 “스마트폰, 의료기기 등 작고 성능 좋은 메모리가 필요한 분야에 바로 적용 가능하며 기존 소자를 대체할 연구가 될 것”이라고 밝혔다.

포항=안창한 기자 changhan@kmib.co.kr

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